基于变压器宽频电路的研究(合作企业:中兴通讯)

2021-06-28

项目基于TSMC40工艺,设计了一种基于高阶变压器的宽频注入锁定式分频器(ILFD),以适用于5G应用的超宽带频率综合器(PLL)且可以支持现有的高频段(40G——60G)通信系统来产生高速、稳定的时钟信号。

  项目由注入锁定式分频器架构主要由注入电流放大模块(ICB),高阶变压器拓频模块(LC-tank),峰值电感补偿模块(Peaking Inductor),信号注入模块(Coupling Pair)构成。

电流放大模块(ICB)通过变压器的感应效应,在低功耗的情况下将注入电流信号进行放大,增大相位幅段,为LC-tank的工作范围增加冗余度。

  高阶变压器(LC-tank)与传统的电感电容谐振回路相比,在中心振荡频率附近出现相位波纹,因而能实现更宽的锁定范围。交叉耦合对为电路提供满足起振条件需要的增益条件,同时将电流注入高阶变压器中。

  峰值电感补偿(Peaking Inductor)在不影响LC-Tank的相位幅段的情况下有效的增大了电路整体的阻抗,更容易满足Barkhausen判据,电路起振要求大大降低,同时降低电路功耗。

  本项目设计的注入锁定式分频器采用直接注入架构(Coupling pair),通过注入MOS管同时注入输入信号和交叉耦合对的直流偏置信号,减小芯片面积的同时保证了电路的稳定性与可靠性。

项目完成了基于4阶变压器的注入锁定式分频器的设计与仿真并绘制出版图。通过仿真,得到设计的分频器可实现20 GHz以上的锁定范围,达到国内领先水平。另外还高阶ILFM等多种先进构架进行了仿真,探索了更多可能性。